[发明专利]一种用于低温焊接的免清洗纳米浆料制备方法有效
申请号: | 201610040154.2 | 申请日: | 2016-01-21 |
公开(公告)号: | CN105609426B | 公开(公告)日: | 2018-01-05 |
发明(设计)人: | 汤自荣;李俊杰;史铁林;程朝亮;范金虎;廖广兰 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙)42224 | 代理人: | 李佑宏 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于低温焊接的免清洗纳米浆料的制备方法,包括以下步骤1)将有机增稠剂加入N‑甲基‑2‑吡咯烷酮中,经磁力搅拌形成溶液A;2)将有机粘结剂加入所述溶液A中,经磁力搅拌形成溶液B;3)取m1g的纳米金属粉末和m2g的溶液B,在真空脱泡搅拌机中搅拌,得到纳米浆料。本方法制备的纳米浆料,封口状态下不易挥发,存储稳定性好。在基底上制备焊接层时,涂覆性、润湿性良好,焊接后免清洗,无需后处理,适用于低温焊接、互连和键合。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 低温 焊接 清洗 纳米 浆料 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种用于低温焊接的免清洗纳米浆料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)将有机增稠剂加入N‑甲基‑2‑吡咯烷酮中经磁力搅拌形成溶液A,其中,搅拌温度为50℃~70℃,搅拌时间为1小时以上,所述有机增稠剂的质量浓度为10g/L~20g/L,所述有机增稠剂为乙基纤维素或甲基纤维素;2)将有机粘结剂加入所述溶液A中经磁力搅拌形成溶液B,其中,搅拌温度为50℃~70℃,搅拌时间为1小时以上,所述有机粘结剂的质量浓度为10g/L~20g/L,所述有机粘结剂为聚乙酸乙烯酯或聚偏氟乙烯;3)取m1g的纳米金属粉末和m2g的溶液B,在真空脱泡搅拌机中用2000转/分~3000转/分的速度真空搅拌300s~800秒,则得到纳米浆料,其中,1:1≤m1:m2≤4:1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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