[发明专利]以TiO2为基体SnO2为种子层的CrO2材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201610040224.4 申请日: 2016-01-21
公开(公告)号: CN105540668B 公开(公告)日: 2017-06-16
发明(设计)人: 卢志红;郭芳;刘硕;袁成 申请(专利权)人: 武汉科技大学
主分类号: H01F41/22 分类号: H01F41/22;C01G37/027
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)42222 代理人: 张火春
地址: 430081 *** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种以TiO2为基体SnO2为种子层的CrO2材料及其制备方法。其技术方案是将装有SnI4的石英舟放入双温区管式炉的低温区,将TiO2单晶基片放入高温区,在O2气氛下升温至350~450℃,保温时对低温区加热,100~200℃保温0.15~2h,制得以TiO2为基体的SnO2种子层材料。将装有CrO3的石英舟放入双温区管式炉的低温区,将以TiO2为基体的SnO2种子层材料放入高温区,在O2气氛下升温至350~450℃,保温时对低温区加热,200~300℃保温0.2~5h,制得以TiO2为基体SnO2为种子层的CrO2材料。本发明具有操作简单和能较快地实现产业化生产的特点,所制备的以TiO2为基体SnO2为种子层的CrO2材料在磁性基本不变的情况下纯度高和表面光滑。
搜索关键词: tio sub 基体 sno 种子 cro 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
一种以TiO2为基体SnO2为种子层的CrO2材料的制备方法,其特征在于所述制备方法的步骤是:步骤一、将SnI4装入石英舟内,放入双温区管式炉的低温区,将TiO2单晶基片放入双温区管式炉的高温区;然后在以100~300mL/min的流速向管式炉内通入氧气的条件下,将高温区加热至350~450℃,开始保温,同时对低温区加热,在100~200℃条件下保温0.15~2h;自然冷却,制得以TiO2为基体的SnO2种子层材料;步骤一中的高温区保温截止时间与低温区保温截止时间相同;步骤二、将CrO3装入石英舟内,放入双温区管式炉的低温区,再将第一步制得的以TiO2为基体的SnO2种子层材料放入双温区管式炉的高温区,然后在以100~300mL/min的流速向管式炉内通入氧气的条件下,将高温区加热至350~450℃,开始保温,同时对低温区加热,在200~300℃条件下保温0.2~5h,自然冷却,即得以TiO2为基体SnO2为种子层的CrO2材料;步骤二中的高温区保温截止时间与低温区保温截止时间相同。
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