[发明专利]具有多个射极指的双极性接面晶体管有效

专利信息
申请号: 201610040445.1 申请日: 2016-01-21
公开(公告)号: CN105810584B 公开(公告)日: 2018-12-28
发明(设计)人: H·丁;V·贾恩;Q·刘 申请(专利权)人: 格罗方德半导体公司
主分类号: H01L21/331 分类号: H01L21/331;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/735
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 英属开曼群*** 国省代码: 开曼群岛;KY
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摘要: 发明涉及具有多个射极指的双极性接面晶体管。用于双极性接面晶体管的装置结构、以及制造用于双极性接面晶体管的装置结构的方法。第一半导体层是在基材上形成,而第二半导体层是在第一半导体层上形成。蚀刻第一半导体层、第二半导体层及基材,以界定起自第二半导体层的第一与第二射极指、及位在基材中侧向置于第一与第二射极指之间的沟槽。第一半导体层可在装置结构中作用为基极层。
搜索关键词: 具有 多个射极指 极性 晶体管
【主权项】:
1.一种制造用于双极性接面晶体管的装置结构的方法,该方法包含:在基材上形成第一半导体层;在该第一半导体层上形成第二半导体层;以及蚀刻该第一半导体层、该第二半导体层及该基材,以界定起自该第二半导体层的第一射极指与第二射极指、及位在该基材中侧向置于该第一射极指与该第二射极指之间的多个第一沟槽,其中,该多个第一沟槽排列成平行于该第一射极指、并平行于该第二射极指的一行,而该第一半导体层置于该行中一相邻对的该多个第一沟槽之间的一区段是在蚀刻该第一半导体层、该第二半导体层及该基材之前先予以掩蔽。
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