[发明专利]制造半导体器件的方法

摘要

本发明的各个实施例涉及制造半导体器件的方法。目的是防止由于在像素中的暗时白点缺陷导致像素特性的劣化。这些暗时白点缺陷的生成，归因于电子和Fe(铁)从在半导体衬底与通过用绝缘膜填充形成在半导体衬底的上表面中的沟槽而获得的元件隔离区域之间的界面附近的扩散。通过在半导体衬底的上表面中形成用围绕光电二极管形成区域的元件隔离区域来填充的沟槽、并且执行等离子体掺杂以将B(硼)引入到沟槽的侧壁和底表面中，来形成半导体层。

主权项

一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括摄像元件，所述摄像元件具有响应于入射光的量而生成信号电荷的光电转换元件，所述方法包括以下步骤：(a)准备半导体衬底；(b)在所述半导体衬底的主表面中，形成围绕所述半导体衬底的所述主表面的第一区域的第一沟槽；(c)通过等离子体掺杂，将硼引入到所述第一沟槽的侧壁和底表面中，并且从而在所述第一沟槽的所述侧壁和所述底表面上，形成含有硼的半导体层；(d)在所述步骤(c)之后，用第一绝缘膜填充所述第一沟槽，以形成具有所述第一绝缘膜的元件隔离区域；以及(e)在所述第一区域中的所述半导体衬底的所述主表面之上，形成所述光电转换元件。