[发明专利]超薄晶片的抛光方法

摘要

本发明公开了一种适用于超薄晶片的抛光方法，所述的抛光方法利用胶带和/或胶体对超薄晶片进行贴膜，然后再用模板法进行抛光。所述胶带包含两层胶膜和提供机械力的表层膜，表层膜通过胶膜跟晶片结合在一起。所述胶体用旋转涂布法涂布，或者用贴膜法涂布，或者用喷胶法涂布；涂布后的胶体直接进行固化，或者先通过烘烤表面流平后固化。其优点在于1）新增的膜可以作为晶片的一部分嵌入到真空吸附垫模板里面，使晶片在模板中不易滑出，且可以通过调节膜的厚度来对晶片的抛光后的厚度进行控制；2）新增的膜有较高的机械强度，可以给晶片提供机械支撑作用，使晶片在抛光过程中不易碎片。

主权项

超薄晶片的抛光方法，其特征是，包括以下步骤：步骤一、在晶片非抛光面贴一层胶带，或涂布胶体（401）并固化，或者先在晶片非抛光面涂布胶体（401）然后在固化的胶体表面黏贴胶带，构成一个整体厚度增加的贴膜芯片；所述胶带包含两层：胶膜（302）和提供机械力的表层膜（301），表层膜（301）通过胶膜（302）跟晶片结合在一起；步骤二、将所述贴膜晶片吸附在模板（201）里面，晶片露出模板（201）外面的厚度在10μm~700μm，贴膜晶片整体嵌入模板（201）的厚度在10μm~700μm；步骤三、对晶片实施抛光工艺，使晶片达到预定厚度；步骤四、将贴膜晶片从模板（201）中取出，通过加热或辐射方式去除胶带或胶体（401），或者依次去除胶带和胶体（401）。