[发明专利]高电子迁移率晶体管器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201610040764.2 | 申请日： | 2016-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN105895686A | 公开（公告）日： | 2016-08-24 |
| 发明（设计）人： | 尹成功;裴轶;吴传佳 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 刘宪池 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高电子迁移率晶体管器件及其制造方法，所述高电子迁移率晶体管器件包括：衬底；位于所述衬底上的缓冲层；位于所述缓冲层上的沟道层，所述沟道层提供载流子运动的沟道；位于所述沟道层上的势垒层，所述势垒层向沟道层中供应载流子并阻挡沟道层中的载流子流向势垒层；位于所述势垒层上的源极、漏极和栅极，所述栅极位于源极和漏极之间；所述栅极下方沟道层内的载流子浓度沿栅宽方向为非固定值，且为非单调变化。本发明使用沟槽刻蚀技术或离子注入技术，控制栅极下方沟道层内载流子浓度按照需求变化，实现转移跨导曲线的平坦化，从而达到改善高电子迁移率晶体管器件线性度的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高电子迁移率晶体管器件，所述高电子迁移率晶体管器件包括：衬底；位于所述衬底上的缓冲层；位于所述缓冲层上的沟道层，所述沟道层提供载流子运动的沟道；位于所述沟道层上的势垒层，所述势垒层向沟道层中供应载流子并阻挡沟道层中的载流子流向势垒层；位于所述势垒层上的源极、漏极和栅极，所述栅极位于源极和漏极之间；其特征在于，所述栅极下方沟道层内的载流子浓度沿栅宽方向为非固定值，且为非单调变化。
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