[发明专利]半导体组件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610041083.8 | 申请日： | 2016-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN106206527B | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 罗翊仁;施能泰 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一半导体组件，包含一中介层基板，具有一正面与一背面；一重布层位于所述正面，且所述重布层包含多个接触垫；多个凸块，分别位于所述接触垫上；至少一半导体芯片安装于所述正面，并借由所述凸块与所述重布层电性连接；一翘曲抑制罩安装于所述正面，覆盖且密封所述半导体芯片；以及多个直通硅穿孔，贯穿所述中介层基板且与所述重布层电性连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体组件，其特征在于，包含:一中介层基板，具有一正面与一背面；一重布层，位于所述中介层基板的正面，其中所述重布层包含多个接触垫；多个凸块，分别位于所述重布层的多个接触垫上；至少一半导体芯片，安装于所述中介层基板的正面，且借由所述凸块与所述重布层电性连接；一翘曲抑制罩，安装于所述中介层基板的正面，覆盖且围住所述半导体芯片；及多个直通硅穿孔，贯穿所述中介层基板且与所述重布层电性连接，其中所述翘曲抑制罩与所述中介层基板的热膨胀系数相同,其中所述翘曲抑制罩包含两个互相贴合的硅晶圆部分，第一硅晶圆部分具有在其中的至少一个开口，第二硅晶圆部分在所述开口上延伸，所述第一硅晶圆部分和所述第二硅晶圆部分结合形成至少一个隔间，所述至少一半导体芯片位于所述至少一个隔间中。
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