[发明专利]制造和纯化碳纳米管的方法

摘要

本发明涉及制造和纯化碳纳米管的方法。在一方面，本文描述了制造半导体单壁碳纳米管的方法。在一些实施中，制造半导体单壁碳纳米管的方法包括提供包含(n，m)纳米管晶种和非(n，m)纳米管晶种的多种半导体纳米管晶种。该方法进一步包括利用具有第一波长的第一激光束和具有第二波长的第二激光束照射多种纳米管晶种，第二波长与第一波长不同。第一波长对应于(n，m)碳纳米管的最大吸收，并且第二波长对应于(n，m)碳纳米管的光致发光发射频率。

主权项

1.制造半导体单壁碳纳米管的方法，其包括：利用具有第一波长的第一激光束和具有第二波长的第二激光束照射包含(n,m)纳米管晶种和非(n,m)纳米管晶种的多种半导体纳米管晶种，所述第二波长与所述第一波长不同，其中所述第一波长对应于(n,m)碳纳米管的最大吸收；并且其中所述第二波长对应于所述(n,m)碳纳米管的光致发光发射频率；和加热所述(n,m)纳米管晶种进入碳纳米管生长期；并且其中所述(n,m)纳米管晶种是具有n和m的预定或预选整数值的半导体纳米管晶种，并且其中所述非(n,m)纳米管晶种是具有(n,m)手性的纳米管晶种，其中n或m的至少一个的整数值与选择以对应于所述(n,m)纳米管晶种的n和m的整数值不同。