[发明专利]一种在高COP硅单晶衬底上制备200mm-300mm低缺陷外延片的方法有效
| 申请号： | 201610041286.7 | 申请日： | 2016-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN105543951B | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 梁兴勃;王震;陈华;李慎重;杨盛聪;邬幸富;田达晰 | 申请（专利权）人： | 浙江金瑞泓科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/20 | 分类号： | C30B25/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 黄志达 |
| 地址： | 315800 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在高COP硅单晶衬底上制备200mm‑300mm低缺陷外延片的方法，包括：(1)将高COP硅单晶衬底在纯氢气气氛中升温至800～850℃，保温5～10s；(2)然后升温至烘烤温度，将外延炉的保护气氛切换为氢气、氩气其中的一种或几种气氛，对上述硅单晶衬底进行烘烤；(3)将外延炉的保护气氛切换为纯氢气气氛，降温至外延生长工艺温度并保温；通入硅源气体，先在硅单晶衬底上生长本征外延层，随后通入硅源气体和掺杂气体，生长掺杂外延层即得。本发明工艺简单，成本低，利用外延炉对硅单晶衬底片进行短时间的高温烘烤使表面COP数量减少或消除，并结合特定的外延生长工艺控制技术，制备得到了低缺陷密度的硅外延片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cop 硅单晶 衬底 制备 200 mm 300 缺陷 外延 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在高COP硅单晶衬底上制备200mm‑300mm低缺陷外延片的方法，包括：(1)将高COP硅单晶衬底置于外延炉的石墨基座中，通入浓度为99.9999％的氢气，在纯氢气气氛中升温至800℃，升温速率为3℃/s，保温10s；(2)然后升温至烘烤温度，将外延炉的保护气氛切换为氢气/氩气混合气氛，其中氢气所占体积比为60％，对上述硅单晶衬底进行烘烤；其中，烘烤温度为1150℃，升温速率为5℃/s，烘烤时间为180s；(3)将外延炉的保护气氛切换为纯氢气气氛，降温至外延生长工艺温度并保温；通入硅源气体，先在硅单晶衬底上生长本征外延层，随后通入硅源气体和掺杂气体，生长掺杂外延层即得低缺陷外延片；其中，外延生长工艺温度为1120℃，降温速率为3℃/s，保温时间为30s；控制本征外延层的生长速率在2.1μm/min；控制掺杂外延层的生长速率在3.7μm/min。
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