[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201610041608.8 | 申请日： | 2016-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN105932000B | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 郑源德;裴汉俊 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/52;H01L23/528 |
| 代理公司： | 11127 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件，该半导体器件包括：基板；弹性缓冲层，该弹性缓冲层设置在所述基板的表面上；布线图案，该布线图案设置在所述弹性缓冲层的第一表面上；半导体芯片，该半导体芯片设置在所述弹性缓冲层的与所述弹性缓冲层的所述第一表面相反的第二表面上。所述半导体芯片包括形成在面向所述弹性缓冲层的表面上的沟槽。设置互连构件以将所述弹性缓冲层电连接至所述基板。所述互连构件各自具有电连接至所述布线图案中的一个的一个端部，和电连接至所述基板的另一端部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，该半导体器件包括：/n基板，该基板具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面；/n弹性缓冲层，该弹性缓冲层设置在所述基板的所述第一表面上方；/n布线图案，该布线图案设置在所述弹性缓冲层的第一表面上；/n半导体芯片，该半导体芯片设置在所述弹性缓冲层的与所述弹性缓冲层的所述第一表面相反的第二表面上，其中，所述半导体芯片包括形成在面向所述弹性缓冲层的表面上的沟槽；以及/n互连构件，该互连构件将所述布线图案电连接至所述基板，/n其中，所述互连构件各自具有电连接至所述布线图案中的一个布线图案的一个端部和电连接至所述基板的另一端部，并且/n其中，所述弹性缓冲层跨过每个沟槽以提供各个腔。/n
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