[发明专利]晶体管及显示设备在审

专利信息
申请号: 201610041989.X 申请日: 2010-08-26
公开(公告)号: CN105448937A 公开(公告)日: 2016-03-30
发明(设计)人: 山崎舜平;坂仓真之;渡边了介;坂田淳一郎;秋元健吾;宫永昭治;广桥拓也;岸田英幸 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L29/04;H01L29/786
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 秦晨
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及晶体管及显示设备。具体地说提供一种具有有利的电特性和高可靠性的晶体管以及包括该晶体管的显示设备。该晶体管是将氧化物半导体用于沟道区而形成的底栅晶体管。经过通过热处理进行的脱水或脱氢的氧化物半导体层被用作活动层。该活动层包括微晶化的浅表部分的第一区以及其余部分的第二区。通过使用具有该结构的氧化物半导体层,能够抑制归因于湿气进入浅表部分或者氧自浅表部分排除的转变为n型以及寄生沟道的产生。另外,还能够降低在氧化物半导体层与源极和漏极电极之间的接触电阻。
搜索关键词: 晶体管 显示 设备
【主权项】:
一种半导体装置,包括:氧化物半导体层;与所述氧化物半导体层电连接的源极电极;以及与所述氧化物半导体层电连接的漏极电极,其中所述氧化物半导体层包括包含纳米晶体的区域、以及沿垂直于表面的方向的c轴取向的结晶区,其中所述氧化物半导体层包括与所述源极电极重叠的第一区,其中所述氧化物半导体层包括与所述漏极电极重叠的第二区,其中所述氧化物半导体层包括所述第一区和所述第二区之间的第三区,其中所述第三区包含比所述第一区多的氧,并且其中所述第三区包含比所述第二区多的氧。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610041989.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top