[发明专利]半导体存储器件及其操作方法有效
| 申请号： | 201610041990.2 | 申请日： | 2016-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN106373614B | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 李熙烈 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 李少丹;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体存储器件，可以包括编程为具有第一编程状态至第N编程状态中的一个的多个存储单元，第一编程状态至第N编程状态根据存储单元的阈值电压区分开，方法包括：通过使用第一编程状态至第N编程状态之中的第N编程状态的第一验证电压来判定在编程为第N‑1编程状态的存储单元之中是否存在过编程单元；在存在过编程单元时，判定过编程单元的数目是否超过参考值；以及在过编程单元的数目超过参考值时，向控制器输出编程失败信号。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件的操作方法，所述半导体存储器件包括编程为具有第一编程状态至第N编程状态中的一个的多个存储单元，第一编程状态至第N编程状态根据存储单元的阈值电压区分开，所述方法包括：通过使用第一编程状态至第N编程状态之中的第N编程状态的第一验证电压来判定在编程为第N‑1编程状态的存储单元之中是否存在过编程单元；在存在过编程单元时，判定过编程单元的数目是否超过参考值；以及在过编程单元的数目超过参考值时，将编程失败信号输出至控制器。
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