[发明专利]一种氮化钼/氮化钛纳米管阵列复合材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201610042189.X | 申请日： | 2016-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN105719843B | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 谢一兵;田芳 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01G11/06 | 分类号： | H01G11/06;H01G11/24;H01G11/50;H01G11/86 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 | 代理人： | 郑立发 |
| 地址： | 211189 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化钼/氮化钛纳米管阵列复合材料及其制备方法和应用，所述材料包括氮化钼纳米膜、氮化钛纳米管阵列和氮化钛纳米膜；所述氮化钼纳米膜作为表面层，氮化钛纳米管阵列作为中间层，氮化钛纳米膜作为基底层，氮化钼纳米膜完全覆盖在氮化钛纳米管阵列的表面，氮化钛纳米管阵列垂直生长在氮化钛纳米膜的表面，形成一体化结构的氮化钼/氮化钛纳米管阵列复合材料；所述氮化钼纳米膜具有微孔膜结构，氮化钛纳米管阵列具有管壁相连的长纳米管或者管壁独立的短纳米管结构，氮化钛纳米膜具有凹坑膜结构。相对于现有技术，本发明所述材料导电性强，同时，所得材料具有较高的能量密度和功率密度，且充放电循环稳定性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 纳米 阵列 复合材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种氮化钼/氮化钛纳米管阵列复合材料，其特征在于，包括氮化钼纳米膜(1)、氮化钛纳米管阵列(2)和氮化钛纳米膜(3)；所述氮化钼纳米膜(1)作为表面层，氮化钛纳米管阵列(2)作为中间层，氮化钛纳米膜(3)作为基底层，氮化钼纳米膜(1)完全覆盖在氮化钛纳米管阵列(2)的上表面，氮化钛纳米管阵列(2)垂直生长在氮化钛纳米膜(3)的表面，形成一体化结构的氮化钼/氮化钛纳米管阵列复合材料；所述氮化钼纳米膜(1)具有微孔膜结构，氮化钛纳米管阵列(2)具有管壁相连的长纳米管或者管壁独立的短纳米管结构，氮化钛纳米膜(3)具有凹坑膜结构；所述复合材料的制备方法包括以下步骤：首先阳极氧化及煅烧法制备二氧化钛纳米管阵列材料，然后循环伏安电化学沉积法制备氧化钼/二氧化钛纳米管阵列复合材料，最后高温氮化法制备氮化钼/氮化钛纳米管阵列复合材料。
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