[发明专利]可用高栅极电压操作的高电压晶体管

摘要

本发明涉及可用高栅极电压操作的高电压晶体管。提出一种半导体器件。半导体器件包括第一负载接点、第二负载接点和位于第一负载接点与第二负载接点之间的半导体区。半导体区包括：第一半导体接触区，第一半导体接触区与第一负载接点接触；第二半导体接触区，第二半导体接触区与第二负载接点接触；半导体漂移区，半导体漂移区位于第一半导体接触区与第二半导体接触区之间并且用第一导电性类型的第一掺杂剂掺杂，其中半导体漂移区将第一半导体接触区耦合到第二半导体接触区。半导体器件还包括：沿着从第一半导体接触区指向第二半导体区的延伸方向延伸到半导体区中的沟槽，沟槽包括控制电极和绝缘体，绝缘体使控制电极从半导体区绝缘。

主权项

一种半导体器件（1），所述半导体器件（1）包括第一负载接点（11）、第二负载接点（13）和位于所述第一负载接点（11）与所述第二负载接点（13）之间的半导体区（12），其中所述半导体区（12）包括：‑第一半导体接触区（121），所述第一半导体接触区（121）与第一负载接点（11）接触；‑第二半导体接触区（123），所述第二半导体接触区（123）与第二负载接点（13）接触；‑半导体漂移区（122），所述半导体漂移区（122）位于第一半导体接触区（121）与第二半导体接触区（123）之间并且用第一导电性类型的第一掺杂剂掺杂，其中，半导体漂移区（122）将第一半导体接触区（121）耦合到第二半导体接触区（123），其中半导体器件（1）还包括：沿着从第一半导体接触区（121）指向第二半导体区（123）的延伸方向（Y）延伸到半导体区（12）中的沟槽（14），所述沟槽（14）包括控制电极（141）和绝缘体（142），所述绝缘体（142）使控制电极（142）从半导体区（12）绝缘，并且其中‑控制电极（141）在所述沟槽（14）内沿着所述延伸方向（Y）延伸至少远到在所述延伸方向（Y）上的所述半导体漂移区（122）的总延伸的75%；‑半导体漂移区（122）展示出所述第一掺杂剂的漂移区掺杂浓度，漂移区掺杂浓度和半导体漂移区（122）的所述总延伸定义半导体器件（1）的阻断电压；以及‑半导体器件（1）被配置成根据通过在控制电极（141）与第一负载接点（11）和第二负载接点（12）中的一个之间施加电压而提供给控制电极（141）的栅极控制信号而被设定在导通状态以便在第一负载接点（11）与第二负载接点（12）之间传导负载电流，并且其中，在导通状态期间，绝缘体（142）配置成用于使总计达到所述阻断电压的至少50%的栅极控制信号的电压绝缘。