[发明专利]一种石墨烯复合材料/氮化硅/硅芯片高效散热系统有效
| 申请号： | 201610043077.6 | 申请日： | 2016-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN105514059B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 白树林;方浩明;张亚飞 | 申请（专利权）人： | 北京大学;方浩明 |
| 主分类号： | H01L23/36 | 分类号： | H01L23/36;H01L23/373;H05K7/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100871 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于石墨烯复合材料/氮化硅/硅芯片多层结构的散热系统及构建方法，属于微电子器件的散热技术。该散热架构包括硅基发热器件，Si3N4绝缘层，石墨烯复合材料热沉和基板。其中通过化学气相沉积法在硅片背面沉积一层致密的Si3N4绝缘层，通过化学键将石墨烯复合材料与Si3N4绝缘层互连，最后将上述带有散热架构的硅片与基板相连并封装成器件。本发明利用了化学键将硅基发热器件，热界面材料，热沉互连，极大减少各器件层间距，避免层间微空隙所引起的热阻，促进声子传热，进而提高了整体散热系统的散热能力，使得芯片能够在恶劣的高温环境下工作。且封装后，整体系统更轻更薄，符合当代半导体器件的发展趋势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 复合材料 氮化 芯片 高效 散热 系统 | ||
【主权项】：
1.一种石墨烯复合材料/Si3N4/Si散热装置，其特征在于，由以下步骤制成：包括硅晶圆背面沉积一层致密的Si3N4绝缘层，在Si3N4绝缘层上利用化学键修饰与石墨烯复合材料热沉相连接，形成一个整体的散热系统，再与基板相互连；所述石墨烯复合材料包括石墨烯和固化树脂。/n
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