[发明专利]相变存储器及其制造方法和电子设备有效
| 申请号： | 201610044348.X | 申请日： | 2016-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN106997924B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 汪昌州 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 屈蘅;李时云<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种相变存储器及其制造方法和电子设备，在相变层顶部形成了一层氮浓度较大的第一顶部电极层以及一层电极金属浓度较大的第二顶部电极层，通过第一顶部电极层中富含的氮来抑制电极金属原子或离子向相变层中扩散，避免相变层内部相的分离并抑制与相变层的剥离，同时第二顶部电极层中富含的自由电极金属原子或金属离子，能够提高导电能力，减少功耗，且第一顶部电极层和第二顶部电极层的高低的含氮量能够调整对膜厚给相变层带来的膜压分布，进一步抑制相变层的剥离。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 及其 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种相变存储器的制造方法，其特征在于，包括：/n提供一半导体衬底，所述半导体衬底的表面上形成有相变层，所述半导体衬底包含底部电极，所述底部电极包括依次形成的第一底部电极层和第二底部电极层，所述第二底部电极层与所述相变层电接触，所述第二底部电极层的厚度小于所述第一底部电极层的厚度，且所述第二底部电极层中氮浓度大于所述第一底部电极层中的氮浓度，所述第二底部电极层中的电极金属的浓度小于所述第一底部电极层中的电极金属的浓度，所述第二底部电极层中氮含量达到能防止所述第二底部电极层氧化且避免发生断路的条件；/n在所述相变层的表面上依次形成含有氮及电极金属的第一顶部电极层和含有氮及电极金属的第二顶部电极层，且所述第一顶部电极层中的氮浓度大于所述第二顶部电极层中的氮浓度，所述第一顶部电极层中的电极金属的浓度小于所述第二顶部电极层中的电极金属的浓度，所述第一顶部电极层的厚度小于所述第二顶部电极层的厚度，所述第一顶部电极层中的氮含量达到抑制电极金属原子或离子向所述相变层中扩散并增强对所述相变层的膜压的条件。/n
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