[发明专利]一种带隙自偏置的宽高频低噪声放大器

摘要

本发明公开了一种带隙自偏置的宽高频低噪声放大器，旨在解决现有技术低噪声放大器源简并结构的电流失配问题、以及避免直流偏置的不理想带来的影响。该带隙自偏置的宽高频低噪声放大器，包括低噪声放大电路和带隙基准电路，其中带隙基准电路的电流量受控于数控单元，带隙基准电路输出的电流经过镜像成倍放大作为低噪声放大电路的偏置电流；低噪声放大电路采用共源共栅结构，信号从In端口输入经片内电感L1接至晶体管Q8的基极，在In端口与电感L1之间的结点引出支路串联电容C4接地；信号在晶体管Q8经过电压‑电流反馈，在晶体管Q9的集电极输出端得到放大，并通过缓冲单元Buf输出，完成信号的低噪声放大功能。

主权项

1.一种带隙自偏置的宽高频低噪声放大器，其特征在于：包括低噪声放大电路和带隙基准电路，其中带隙基准电路的电流量受控于数控单元，带隙基准电路输出的电流经过镜像成倍放大作为低噪声放大电路的偏置电流；低噪声放大电路采用共源共栅结构，信号从In端口输入经片内电感L1接至晶体管Q8的基极，在In端口与电感L1之间的结点引出支路串联电容C4接地；信号在晶体管Q8经过电压‑电流反馈，在晶体管Q9的集电极输出端得到放大，并通过缓冲单元Buf输出，完成信号的低噪声放大功能；所述带隙基准电路包括启动电路部分、主体电路部分和电流输出电路部分；在主体电路部分中：晶体管Q6、Q7和电阻R3组成PTAT电路结构，晶体管Q6的集电极经电阻R2、晶体管Q7的集电极经电阻R4共同接至晶体管Q4的发射极，使得流入晶体管Q6、Q7这两个支路的电流相等；晶体管Q5与晶体管Q4构成镜像结构，并在晶体管Q5发射极设置适配的电阻R5，使晶体管Q5发射极的电压与晶体管Q4的发射极的电压相同，使晶体管Q5所在支路提供精确稳定的电流IR5；电流输出电路部分采用MOS晶体管构建两级电流镜，所述晶体管Q5的集电极接第二级电流镜一侧的漏极，同时还接第一级电流镜的共栅结点，使得电流IR5在第二级电流镜另一侧的漏极输出一个镜像且与需要相比较小的电流Iref。