[发明专利]半导体设备用衬底以及其制造方法有效
| 申请号： | 201610045414.5 | 申请日： | 2016-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN105826167B | 公开（公告）日： | 2020-03-13 |
| 发明（设计）人： | 西口浩平 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/24;H01L29/43 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种能够利用将红色光或者红外光用于检测衬底的有无的半导体制造装置而无弊病地进行处理的半导体设备用衬底、以及该衬底的制造方法。本申请的技术方案涉及的半导体设备用衬底的特征在于具有：衬底(10)；防透金属和该衬底的材料相混合的反应层(12)，其设置在该衬底的背面，该防透金属与该衬底相比，红色光或者红外光的透过率低；以及金属薄膜层(14)，其形成在该反应层的背面，材料与该防透金属相同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 备用 衬底 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体设备用衬底，其特征在于，具有：衬底；防透金属和所述衬底的材料相混合的反应层，其设置在所述衬底的背面，该防透金属与所述衬底相比，红色光或者红外光的透过率低；以及金属薄膜层，其形成在所述反应层的背面，材料与所述防透金属相同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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