[发明专利]含有高阶场成分的离子阱质谱系统有效
申请号: | 201610045742.5 | 申请日: | 2016-01-22 |
公开(公告)号: | CN105609400B | 公开(公告)日: | 2018-01-12 |
发明(设计)人: | 徐福兴;党乾坤;丁航宇;汪源源;周鸣飞;丁传凡 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01J49/10 | 分类号: | H01J49/10;H01J49/42 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司31200 | 代理人: | 陆飞,盛志范 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明属于质谱分析测试技术领域,具体为含有高阶场成分的离子阱质谱系统。该离子阱质谱系统由四个圆弧截面结构的线形杆状电极组成,通过调节圆弧电极的圆弧半径的大小比例关系,使四极电极系统可以产生以四极场A2为主,并含有部分八极场A4、十二极场A6、十六极场A8、二十极场A10等高阶场成分。当四极离子阱质谱系统引入适当的高阶场成分后,可以有效提高离子阱的质量分辨率、离子质谱信号强度及串级质谱分析效率,同时可以有效改善离子阱的低质量数截止值,解决传统离子阱质谱仪在串级质谱过程中低质量数检测的主要难点。本发明给出的含有高阶场成分的离子阱质谱系统具有结构简单,加工容易,性能独特等优点。 | ||
搜索关键词: | 含有 高阶场 成分 离子 谱系 | ||
【主权项】:
含有高阶电场成分的离子阱质谱系统,其特征在于,由X、Y、Z三个方向上的三对电极构成,并合围成近似于长方体的空间立体结构;设离子引入的方向为Z 方向,Z方向上的一对电极为平面电极,X方向和Y方向的电极结构为圆弧形杆状电极,在4根杆状电极中至少一根杆状电极的横截面上加工有小孔,用于离子引出;X、Y、Z 三个方向的各个电极之间存在空隙或以电绝缘材料隔开,以保持相互之间的电绝缘状态;X 和Y 方向上的两对电极所在的ZX 平面和ZY 平面在径向上围成离子的束缚空间,其电极上施加的射频电压,对阱中的离子实现径向上的束缚;Z 方向上一对电极上开有小孔,用于离子引入,在该电极上施加直流电压,在轴向上将离子束缚在阱中;X方向和Y方向的圆弧电极的表面到中心轴的最小距离即场半径R0相等;通过调节X方向和Y方向圆弧电极的圆弧半径的大小比例关系,引入高阶场成分,使整个离子阱系统内部电场中包括四极场A2、八极场A4、十二极场A6、十六极场A8、二十极场A10等多极场分布,实现离子阱系统的分析性能优化。
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