[发明专利]通过纵向源极跟随器感测的反向电流保护电路有效
申请号: | 201610046519.2 | 申请日: | 2016-01-22 |
公开(公告)号: | CN105827233B | 公开(公告)日: | 2019-06-14 |
发明(设计)人: | A·芬尼;B-E·马泰 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H03K19/003 | 分类号: | H03K19/003 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 郑立柱 |
地址: | 德国诺伊*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 提供了通过纵向源极跟随器感测的反向电流保护电路。单片集成电路包括低电压控制电路、纵向功率晶体管以及源极跟随器。纵向功率晶体管至少包括漏极。源极跟随器包括耦合到纵向功率晶体管的漏极的漏极、耦合到限制电压节点的栅极以及耦合到高阻抗节点的源极。源极跟随器被布置为使得在源极跟随器的源极处的源极电压是纵向功率晶体管的漏极电压的电压受限版本。低电压控制电路包括驱动器和保护电路,被布置为检测源极电压,驱动纵向功率晶体管,并且至少部分地基于源极电压来调节纵向功率晶体管如何被偏置。 | ||
搜索关键词: | 通过 纵向 跟随 器感测 反向 电流 保护 电路 | ||
【主权项】:
1.一种电子电路设备,包括:单片集成电路,包括:低电压控制电路;纵向功率晶体管,所述纵向功率晶体管包括漏极;以及源极跟随器,所述源极跟随器包括耦合到所述纵向功率晶体管的所述漏极的漏极和耦合到高阻抗节点的源极,其中所述源极跟随器被布置为使得在所述源极跟随器的所述源极处的源极电压是所述纵向功率晶体管的所述漏极处的电压的电压受限版本,其中所述低电压控制电路包括驱动器和保护电路,所述驱动器和保护电路被布置为检测所述源极电压,驱动所述纵向功率晶体管,并且至少部分地基于所述源极电压来调节所述纵向功率晶体管如何被偏置,并且其中所述驱动器和保护电路被布置为通过以下来至少部分地基于所述源极电压来调节所述纵向功率晶体管如何被偏置:如果所述源极电压超过电压阈值,则输出具有第一逻辑电平的比较输出信号,否则输出具有第二逻辑电平的比较输出信号;以及至少部分地基于所述比较输出信号来调节所述纵向功率晶体管如何被偏置。
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