[发明专利]基于等式约束的辅助电容集中式半桥MMC自均压拓扑

摘要

本发明提供基于等式约束的辅助电容集中式半桥MMC自均压拓扑。半桥MMC自均压拓扑，由半桥MMC模型和自均压辅助回路联合构建。半桥MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的6N个机械开关发生电气联系，机械开关闭合，两者构成基于等式约束的辅助电容集中式半桥MMC自均压拓扑，机械开关打开，拓扑等效为半桥MMC拓扑。在不强调两种拓扑差异的情况下，自均压辅助回路中的6N个机械开关可以省略，用导线替代，直接构成基于等式约束的辅助电容集中式半桥MMC自均压拓扑。该半桥MMC自均压拓扑，不依赖于专门的均压控制，能够在完成直交流能量转换的基础上，自发地实现子模块电容电压的均衡，同时能相应降低子模块触发频率和电容容值，实现半桥MMC的基频调制。

主权项

基于等式约束的辅助电容集中式半桥MMC自均压拓扑，其特征在于：包括由A、B、C三相构成的半桥MMC模型，A、B、C三相分别由2N个半桥子模块，2个桥臂电抗器串联而成；包括由6N个机械开关，6N+5个钳位二极管，2个辅助电容C₁、C₂，2个辅助IGBT模块T₁、T₂构成的自均压辅助回路。