[发明专利]基于不等式约束的辅助电容集中式半桥/单箝位混联MMC自均压拓扑在审
| 申请号： | 201610047421.9 | 申请日： | 2016-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN105450071A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 赵成勇;许建中;刘航 | 申请（专利权）人： | 华北电力大学 |
| 主分类号： | H02M7/49 | 分类号： | H02M7/49 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 102206 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供基于不等式约束的辅助电容集中式半桥/单箝位混联MMC自均压拓扑。半桥/单箝位混联MMC自均压拓扑中，半桥/单箝位混联MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的6N个辅助开关发生电气联系，辅助开关闭合，两者构成基于不等式约束的辅助电容集中式半桥/单箝位混联MMC自均压拓扑，辅助开关打开，拓扑等效为半桥/单箝位混联MMC拓扑。在不强调两种拓扑差异的情况下，辅助开关中的6K个机械开关可以省略。该半桥/单箝位混联MMC自均压拓扑，可以箝位直流侧故障，同时不依赖于专门的均压控制，能够在完成直交流能量转换的基础上，自发地实现子模块电容电压的均衡，此外可以相应降低子模块触发频率和电容容值，实现MMC的基频调制。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 不等式 约束 辅助 电容 集中 式半桥 箝位 mmc 拓扑 | ||
【主权项】：
基于不等式约束的辅助电容集中式半桥/单箝位混联MMC自均压拓扑，其特征在于：包括由A、B、C三相构成的半桥/单箝位混联MMC模型，A、B、C三相每个桥臂分别由K个半桥子模块、N‑K个单箝位子模块及1个桥臂电抗器串联而成；包括由6N个辅助开关（6K个机械开关，6N‑6K个IGBT模块），6N+7个钳位二极管，4个辅助电容C1、C2、C3、C4，2个辅助IGBT模块T1、T2构成的自均压辅助回路。
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