[发明专利]一种基于喷墨打印技术的有机薄膜晶体管器件的优化方法

摘要

本发明涉及一种基于喷墨打印技术的有机薄膜晶体管器件的优化方法，该器件包括基底、有源层以及源漏电极；基底为一生长有一层SiO₂氧化层的硅片，SiO₂氧化层上方通过喷墨打印方式制备形成一半导体聚合物与绝缘体聚合物的混合物薄膜作为有源层；混合物薄膜上方通过热蒸发方式制作形成源漏电极。本发明制作的有源层采用喷墨打印的方式制作，并且有源层材料进行了特殊优化处理，即在薄膜成膜前添加高沸点共混溶剂到半导体聚合物与绝缘体聚合物混合溶液中，提高了半导体聚合物有序度和相的纯度来增大其空穴的迁移率，其工艺简单，操作快速准确，能得到较高性能的OTFT器件及其阵列；该器件具有电流开关比及空穴迁移率较高、制备工艺简单、成本低的优点。

主权项

一种基于喷墨打印技术的有机薄膜晶体管器件的优化方法，其特征在于：所述有机薄膜晶体管器件为底栅顶接触结构，包括基底、有源层以及源漏电极；其中，所述基底包括衬底、栅极以及绝缘层；所述基底为一生长有一层SiO₂氧化层的硅片，所述硅片既作为衬底又作为栅极；所述硅片上生长具有一定厚度的SiO₂氧化层作为绝缘层；所述SiO₂氧化层上方通过喷墨打印方式制备形成一半导体聚合物与绝缘体聚合物的混合物薄膜，所述混合物薄膜作为有源层；所述混合物薄膜上方通过热蒸发方式制作形成所述源漏电极。