[发明专利]一种高取向石墨烯金属层层组装电磁屏蔽膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种石墨烯金属复合电磁屏蔽膜的制备方法。该方法通过超大片无碎片的氧化石墨烯制备氧化石墨烯凝胶膜，冷冻后，送入高温炉中进行3000℃高温热处理，获得高导热高导电超轻取向的石墨烯气凝胶膜；然后通过化学电镀将金属沉积到石墨烯气凝胶膜中石墨烯片层表面，得到以石墨烯膜为基底，石墨烯和金属层层堆叠的电磁屏蔽膜；将石墨烯气凝胶金属复合膜高压压制，得到石墨烯金属复合膜。本发明制备的石墨烯金属复合膜厚度、尺寸均可以调节、微结构规整、具有极高的导电性、吸收频带宽，在电磁屏蔽及吸波领域具有广泛的应用前景。 1

主权项

1.一种高取向石墨烯金属层层组装电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于，其步骤如下：

（1）将浓度为4‑20mg/mL的平均尺寸>100um的氧化石墨烯水溶液从具有一字形出口的制备装置中连续匀速挤出后，在凝固液或液氮中停留10‑100秒，凝固成氧化石墨烯凝胶膜，将氧化石墨烯凝胶膜放入‑4～‑20℃的冰箱中冰冻1‑12h或者液氮中快速冷冻；

（2）将步骤1冷冻处理后氧化石墨烯气凝胶薄膜，送入高温炉中进行高温热处理，处理方式为：在惰性气体氛围下先以0.1‑4^oC/min升温到400^oC，保温0.5‑1h，然后在惰性气体氛围下以2‑4^oC/min升温到1300^oC，保温1‑4h，然后在惰性气体氛围下以2‑4^oC/min升温到3000^oC，保温1‑2h，即可获得连续超轻规则取向的纯石墨烯气凝胶薄膜；

（3）以步骤2获得的纯石墨烯气凝胶薄膜为基底，通过化学电镀沉积金属纳米粒子，使得金属纳米粒子沉积在石墨烯片上，得到石墨烯气凝胶金属复合电磁屏蔽膜。

2.如权利要求1所述的高取向石墨烯金属层层组装电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于，所述挤出速率为4‑20m/min之间。

3.如权利要求1所述的高取向石墨烯金属层层组装电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于，所述的凝固液的温度为30‑60^oC，由甲醇、乙醇、乙酸乙酯、正丁醇、乙二醇、环己酮、乙酸丁酯、丙二醇、醋酸正丙酯、乙酸、丙三醇、异丁醇、乙酸甲酯中的一种或多种按照任意比组成。

4. 如权利要求1所述的高取向石墨烯金属层层组装电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于，所述步骤1中平均尺寸大于100 um的氧化石墨烯通过以下方法得到：

（1）将Modified‑Hummer法获得的氧化石墨片的反应液稀释后，于140目的网筛进行过滤，得到过滤产物；

（2）将步骤1获得的过滤产物与冰水按照体积比1：10混合均匀后，静置2h，逐滴加入双氧水，H₂O₂的质量分数为30%，直到混合液的颜色不再改变，即混合液中的高锰酸钾已完全去除；

（3）向步骤2处理后的混合液中逐滴加入浓度为12mol/L的浓盐酸，直到絮状的氧化石墨消失，再用140目的网筛过滤出氧化石墨晶片；

（4）将步骤3获得的氧化石墨晶片置于摇床中，20~80转/min，震荡洗涤，使得氧化石墨晶片剥离，得到无碎片超大片的氧化石墨烯，平均尺寸大于100um，分布系数在0.2‑0.5之间。

5.根据权利要求4所述的高取向石墨烯金属层层组装电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于，所述步骤1中的Modified‑Hummer法具体为：在‑10^oC下，将高锰酸钾充分溶解于质量分数为98%的浓硫酸中，加入石墨，60转/分钟搅拌2h后停止搅拌，在‑10‑20^oC的低温下反应6‑48h，得到宽分布的氧化石墨片反应液；所述的石墨、高锰酸钾与浓硫酸质量体积比为：1 g：2‑4g：30‑40ml，石墨的粒度大于150μm。

6.根据权利要求4所述的高取向石墨烯金属层层组装电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于，所述网筛为钛合金耐酸网筛。

7.根据权利要求4所述的高取向石墨烯金属层层组装电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于，所述步骤1中，氧化石墨片的反应液通过浓硫酸稀释剂进行稀释，稀释剂的体积为反应液体积的1‑10倍。

8.如权利要求1所述的高取向石墨烯金属层层组装电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于，所述的金属纳米粒子主要由金、银、铝、铜、铁、锌、铬、镍、钴、铂、钯、铱、铑、钌、钛、钒、镁、铟、镧、锑纳米粒子的一种或多种按照任意比组成。