[发明专利]用于霍斯勒化合物的织构化膜的底层有效
| 申请号： | 201610048540.6 | 申请日： | 2016-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN105826462B | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 郑在佑;S.S.P.帕金;M.G.萨曼特 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 宋莉,肖靖泉 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种结构体，包括Mn1+cX形式的四方霍斯勒，其中X包括选自Ge和Ga的元素，以及0≤c≤3。所述四方霍斯勒直接在沿(001)方向取向的且以YMn1+d形式的基底上(或更通常地，在基底上面)生长，其中Y包括选自Ir和Pt的元素，以及0≤d≤4。所述四方霍斯勒和所述基底彼此邻近，从而容许自旋极化电流从一个穿过另一个。所述结构体可形成磁性隧道结磁阻器件的部件，且这样的磁阻器件的阵列可共同形成MRAM。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 霍斯勒 化合物 织构化膜 底层 | ||
【主权项】：
一种包括四方霍斯勒的器件，包括：Mn1+cX形式的所述四方霍斯勒，其中X包括选自Ge和Ga的元素，且其中0 ≤ c ≤ 3；和在(001)方向上取向的且以YMn1+d形式的基底，其中Y包括选自Ir和Pt的元素，且0 ≤ d ≤ 4，其中所述四方霍斯勒和所述基底彼此邻近，从而容许自旋极化电流从一个穿过另一个。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610048540.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种拉链扣(2)
- 下一篇：用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件
