[发明专利]低凹陷的铜化学机械抛光

摘要

本发明公开了铜化学机械抛光(CMP)制剂、方法和系统。CMP制剂包含颗粒材料、至少两种或更多种氨基酸、氧化剂、腐蚀抑制剂，并且其余为水。

主权项

1.铜化学机械抛光制剂，其由以下成分组成：0.001至0.25重量％的颗粒材料，0.01至16重量％的至少两种氨基酸，0.25至5重量％的氧化剂，0.00001至2重量％的腐蚀抑制剂，任选地选自以下的至少一种：表面活性剂，所述表面活性剂选自：苯基乙氧基化物表面活性剂、炔属二醇表面活性剂、硫酸盐或磺酸盐表面活性剂、甘油丙氧基化物、甘油乙氧基化物、聚山梨酯表面活性剂、非离子型烷基乙氧基化物表面活性剂、甘油丙氧基化物‑嵌段‑乙氧基化物、氧化胺表面活性剂、乙醇酸乙氧基化物油基醚、聚乙二醇、聚环氧乙烷、乙氧基化醇、乙氧基化物‑丙氧基化物表面活性剂、聚醚消泡分散体及其组合；pH调节剂；和杀生物剂；并且其余为水；其中所述颗粒材料选自火成二氧化硅、胶体二氧化硅、火成氧化铝、胶体氧化铝、氧化铈、二氧化钛、氧化锆、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、云母、水合硅酸铝及其混合物；并且所述氨基酸独立地选自：氨基乙酸、丝氨酸、赖氨酸、谷氨酰胺、L‑丙氨酸、DL‑丙氨酸、β‑丙氨酸、亚氨乙酸、天冬酰胺、天冬氨酸、缬氨酸、肌氨酸、N‑二(羟乙基)甘氨酸、N‑三(羟甲基)甲基甘氨酸、脯氨酸及其混合物；所述制剂的pH为2至12。