[发明专利]一种基于自蔓延反应的微互连方法在审
| 申请号： | 201610050680.7 | 申请日： | 2016-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN105679687A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 汤自荣;范金虎;史铁林;李俊杰;程朝亮;廖广兰 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/603 | 分类号： | H01L21/603 |
| 代理公司： | 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙) 42224 | 代理人： | 李佑宏 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于自蔓延反应的微互连方法，包括以下步骤：1)对基体A上的待键合表面进行表面处理，然后在该待键合表面上沉积自蔓延反应薄膜；2)对基体B上的待键合表面进行表面处理，然将该待键合表面压在基体A上的自蔓延反应薄膜上，所述基体A、自蔓延反应薄膜和基体B共同构成互连结构；3)在所述互连结构上施加压力进行预压；4)预压完成后，继续保持加压状态，然后引燃自蔓延反应薄膜，以完成基体A和基体B的互连，使基体A和基体B紧密连接在一起。本发明描述的键合连接技术，反应速率快，键合效率高，热影响区小，减小了对其他器件的热影响，提高了器件的可靠性，延长了工作寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 蔓延 反应 互连 方法 | ||
【主权项】：
一种基于自蔓延反应的微互连方法，其特征在于，包括以下步骤：1)对基体A上的待键合表面进行表面处理，然后在该待键合表面上直接或间接沉积自蔓延反应薄膜；2)对基体B上的待键合表面进行表面处理，然后将该待键合表面直接或间接堆叠在基体A上的自蔓延反应薄膜上，所述基体A、自蔓延反应薄膜和基体B共同构成互连结构；3)在所述互连结构上施加压力进行预压；4)预压完成后，继续保持加压状态，然后引燃自蔓延反应薄膜，以完成基体A和基体B的互连，使基体A和基体B固定连接在一起。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学，未经华中科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610050680.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种半导体加工设备
- 下一篇：用于提高氮化硅批间均匀度的非晶硅陈化作用
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
