[发明专利]离子植入机及离子植入方法在审

专利信息
申请号: 201610051333.6 申请日: 2016-01-26
公开(公告)号: CN105826153A 公开(公告)日: 2016-08-03
发明(设计)人: 安瓦尔·侯塞因;凡立瑞·立特瓦克 申请(专利权)人: 汉辰科技股份有限公司
主分类号: H01J37/317 分类号: H01J37/317;H01L21/67;H01L21/677
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 郭蔚
地址: 中国台湾新竹县宝山乡*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明一实施例的一种离子植入机包含一处理室、一前开式晶圆传送盒(FOUP,Front Opening Unified Pod)及一温度处理组件。在处理室中,一工件可依离子植入配方被植入离子。前开式晶圆传送盒能将工件送入或送出处理室。温度处理组件包含一真空室、一加热模块及一冷却模块。真空室与处理室连通,且真空室具有一加热空间及一相邻于加热空间的冷却空间。加热模块从加热空间的一侧安装于真空室,用于将位于加热空间的工件加热到一第一温度;而冷却模块安装于冷却空间,用于将位于冷却空间的工件冷却到一第二温度,其中第二温度不同于第一温度。同时揭露种一离子植入方法。
搜索关键词: 离子 植入 方法
【主权项】:
一种离子植入机,其特征在于,包含:一处理室,其中一工件在该处理室内依据一离子植入配方被植入离子;一前开式晶圆传送盒,传送该工件进出该处理室;以及一温度处理组件,其包含:一直空室,与该处理室连通,并具有一加热空间及邻近该加热空间的一冷却空间;一加热模块,从该加热空间的一侧,安装于该真空室,用于加热位于该加热空间的该工件到一第一温度;以及一冷却模块,安装于该冷却空间,用于冷却位于该冷却空间的该工件到一第二温度,其中该第二温度不同于该第一温度。
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