[发明专利]一种基于石墨烯悬梁结构的存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 201610051372.6 | 申请日： | 2016-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN106997925A | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | 池宪念;张健;邓娅;孙连峰 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 巩克栋,侯潇潇 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于石墨烯悬梁结构的存储器，所述存储器包括基体、第一电极、第二电极、第三电极和石墨烯悬梁，其中第一电极、第二电极和第三电极形成于基体上；石墨烯悬梁一端固定于第一电极上，另一端悬空；第二电极位于石墨烯悬梁悬空一端下方，第三电极未与基体接触的部分悬空于石墨烯悬梁和第二电极上方。第一电极将石墨烯悬梁包覆在电极内执行存储器的“读”功能，第二电极执行存储器的“写”功能，第三电极执行存储器的“擦”功能，通过各电极协同作用可以实现存储器状态“0”和“1”的相互转换。该存储器结构简单，其制备是基于传统半导体平面制备工艺，能满足大规模工业化生产的要求，存储密度大。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 石墨 悬梁 结构 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于石墨烯悬梁结构的存储器，其特征在于，所述存储器包括基体(5)、第一电极(1)、第二电极(2)、第三电极(3)和石墨烯悬梁(4)，其中第一电极(1)、第二电极(2)和第三电极(3)形成于基体(5)上；石墨烯悬梁(4)一端固定于第一电极(1)上，另一端悬空；第二电极(2)位于石墨烯悬梁(4)悬空一端下方，第三电极(3)未与基体(5)接触的部分悬空于石墨烯悬梁(4)和第二电极(2)上方。
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