[发明专利]一种硒化铋材料的化学刻蚀方法有效

专利信息
申请号: 201610051414.6 申请日: 2016-01-26
公开(公告)号: CN105543980B 公开(公告)日: 2017-10-27
发明(设计)人: 李含冬;张忠阳;高磊;任武洋;李勇;龙城佳;姬海宁;戴丽萍;周志华;巫江;牛晓滨;王志明 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: C30B33/10 分类号: C30B33/10;C30B29/46
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610000 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明涉及一种硒化铋材料的化学刻蚀方法,其包括以下步骤(1)制作掩膜所述掩膜为光刻掩膜,其使用标准光刻技术制作,附着于硅衬底上的硒化铋材料之上;(2)配制刻蚀剂所述刻蚀剂为重铬酸钾复合酸溶液,其配制方法为,由以下组分按照一定比例混匀而成,体积百分比为9%的重铬酸钾饱和水溶液、体积百分比为48%的浓盐酸、体积百分比为98%的浓硫酸;(3)刻蚀利用步骤(3)制得的重铬酸钾复合酸溶液蚀刻液,对附着步骤(1)制得的附着光刻掩膜的硒化铋材料进行刻蚀。本发明工艺简单、操作便捷、成本低廉、效果显著,其具有被刻蚀的硒化铋材料表面平整,符合化学计量比,且刻蚀速率便于控制等有益效果。
搜索关键词: 一种 硒化铋 材料 化学 刻蚀 方法
【主权项】:
一种硒化铋材料的化学刻蚀方法,其特征是:该方法包括以下步骤:(1)制作掩膜:所述掩膜为光刻掩膜,其使用标准光刻技术制作,附着于硅衬底上的硒化铋材料之上;(2)配制刻蚀剂:所述刻蚀剂为重铬酸钾复合酸溶液,其配制方法为,由以下组分按照一定比例混匀而成,体积百分比为9%的重铬酸钾饱和水溶液、体积百分比为48%的浓盐酸、体积百分比为98%的浓硫酸;硫酸根[SO42‑]与盐酸根[Cl‑]摩尔浓度比为1.5:1;重铬酸钾的摩尔浓度为0.01~0.04mol/L;(3)刻蚀:利用步骤(2)制得的重铬酸钾复合酸溶液蚀刻液,对附着步骤(1)制得的附着光刻掩膜的硒化铋材料进行刻蚀。
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