[发明专利]一种硒化铋材料的化学刻蚀方法有效
申请号: | 201610051414.6 | 申请日: | 2016-01-26 |
公开(公告)号: | CN105543980B | 公开(公告)日: | 2017-10-27 |
发明(设计)人: | 李含冬;张忠阳;高磊;任武洋;李勇;龙城佳;姬海宁;戴丽萍;周志华;巫江;牛晓滨;王志明 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | C30B33/10 | 分类号: | C30B33/10;C30B29/46 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610000 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种硒化铋材料的化学刻蚀方法,其包括以下步骤(1)制作掩膜所述掩膜为光刻掩膜,其使用标准光刻技术制作,附着于硅衬底上的硒化铋材料之上;(2)配制刻蚀剂所述刻蚀剂为重铬酸钾复合酸溶液,其配制方法为,由以下组分按照一定比例混匀而成,体积百分比为9%的重铬酸钾饱和水溶液、体积百分比为48%的浓盐酸、体积百分比为98%的浓硫酸;(3)刻蚀利用步骤(3)制得的重铬酸钾复合酸溶液蚀刻液,对附着步骤(1)制得的附着光刻掩膜的硒化铋材料进行刻蚀。本发明工艺简单、操作便捷、成本低廉、效果显著,其具有被刻蚀的硒化铋材料表面平整,符合化学计量比,且刻蚀速率便于控制等有益效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 硒化铋 材料 化学 刻蚀 方法 | ||
【主权项】:
一种硒化铋材料的化学刻蚀方法,其特征是:该方法包括以下步骤:(1)制作掩膜:所述掩膜为光刻掩膜,其使用标准光刻技术制作,附着于硅衬底上的硒化铋材料之上;(2)配制刻蚀剂:所述刻蚀剂为重铬酸钾复合酸溶液,其配制方法为,由以下组分按照一定比例混匀而成,体积百分比为9%的重铬酸钾饱和水溶液、体积百分比为48%的浓盐酸、体积百分比为98%的浓硫酸;硫酸根[SO42‑]与盐酸根[Cl‑]摩尔浓度比为1.5:1;重铬酸钾的摩尔浓度为0.01~0.04mol/L;(3)刻蚀:利用步骤(2)制得的重铬酸钾复合酸溶液蚀刻液,对附着步骤(1)制得的附着光刻掩膜的硒化铋材料进行刻蚀。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610051414.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一步法制备聚酯短纤维的方法
- 下一篇:自动硅片匀胶机