[发明专利]在半导体制造中使具有聚焦的带电粒子束晶圆成像的方法有效

专利信息
申请号: 201610051623.0 申请日: 2016-01-26
公开(公告)号: CN106252248B 公开(公告)日: 2019-05-21
发明(设计)人: 周廷璁 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 提供一种用于处理半导体晶圆的方法。该方法包括:将半导体晶圆定位在扫描电子显微镜(SEM)中。该方法进一步包括:产生在半导体晶圆的工艺表面上指定的测试区域的至少部分的图像。该方法还包括:在测试区域中选择的检查点处,调整SEM的带电粒子束的状态。此外,该方法包括:在调整带电粒子束的状态之后,产生测试区域的另一部分的图像。本发明实施例涉及用于在半导体制造中使具有聚焦的带电的粒子束的晶圆成像的方法。
搜索关键词: 用于 半导体 制造 具有 聚焦 带电 粒子束 圆成 方法
【主权项】:
1.一种用于处理半导体晶圆的方法,包括:在扫描电子显微镜SEM中定位所述半导体晶圆;带电离子束在所述半导体晶圆的第一部分上方进行第一扫描以产生指定在所述半导体晶圆的工艺表面上的测试区域的所述第一部分的图像并且在所述测试区域的检查点处停止在所述第一部分上方的带电离子束的第一扫描;在所述带电离子束保持在所述检查点处的同时,在所述测试区域中的检查点处,调整所述SEM的带电粒子束的状态;以及在调整所述带电粒子束的状态之后,所述带电离子束在所述半导体晶圆的第二部分上方进行第二扫描以产生所述测试区域的所述第二部分的图像。
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