[发明专利]在半导体制造中使具有聚焦的带电粒子束晶圆成像的方法有效
申请号: | 201610051623.0 | 申请日: | 2016-01-26 |
公开(公告)号: | CN106252248B | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
发明(设计)人: | 周廷璁 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种用于处理半导体晶圆的方法。该方法包括:将半导体晶圆定位在扫描电子显微镜(SEM)中。该方法进一步包括:产生在半导体晶圆的工艺表面上指定的测试区域的至少部分的图像。该方法还包括:在测试区域中选择的检查点处,调整SEM的带电粒子束的状态。此外,该方法包括:在调整带电粒子束的状态之后,产生测试区域的另一部分的图像。本发明实施例涉及用于在半导体制造中使具有聚焦的带电的粒子束的晶圆成像的方法。 | ||
搜索关键词: | 用于 半导体 制造 具有 聚焦 带电 粒子束 圆成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于处理半导体晶圆的方法,包括:在扫描电子显微镜SEM中定位所述半导体晶圆;带电离子束在所述半导体晶圆的第一部分上方进行第一扫描以产生指定在所述半导体晶圆的工艺表面上的测试区域的所述第一部分的图像并且在所述测试区域的检查点处停止在所述第一部分上方的带电离子束的第一扫描;在所述带电离子束保持在所述检查点处的同时,在所述测试区域中的检查点处,调整所述SEM的带电粒子束的状态;以及在调整所述带电粒子束的状态之后,所述带电离子束在所述半导体晶圆的第二部分上方进行第二扫描以产生所述测试区域的所述第二部分的图像。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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