[发明专利]半导体器件有效

专利信息
申请号: 201610052223.1 申请日: 2016-01-26
公开(公告)号: CN105826366B 公开(公告)日: 2019-03-22
发明(设计)人: 潘之昊;弗里德里希·哈恩;斯特芬·霍兰;奥拉夫·普芬尼希斯多夫;约亨·韦南茨;汉斯-马丁·里特 申请(专利权)人: 安世有限公司
主分类号: H01L29/45 分类号: H01L29/45;H01L21/28
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 麦善勇;张天舒
地址: 荷兰*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 半导体器件及其制造方法。所述器件包括设置在芯片级封装(CSP)中的半导体衬底。所述器件还包括设置在衬底主表面上的多个接触。所述器件还包括在半导体衬底的背部上形成欧姆接触的电浮置金属层。所述器件可操作为传导电流,所述电流从所述多个接触中的第一接触经由背部上的金属层通过所述衬底到达所述多个接触中的第二接触。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:设置在芯片级封装CSP中的半导体衬底;设置在衬底的主表面上的多个接触,以及在半导体衬底的背部上形成欧姆接触的电浮置金属层,其中所述器件可操作为传导电流,所述电流从所述多个接触中的第一接触经由背部上的金属层通过所述衬底到达所述多个接触中的第二接触,其中所述器件是瞬态电压抑制TVS二极管,其中在所述主表面上,所述多个接触中的至少一个接触至少部分地以U形围绕所述多个接触中的另一个接触。
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