[发明专利]集成电路芯片和垂直功率器件有效
| 申请号： | 201610052234.X | 申请日： | 2011-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN105448998B | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | S.B.莫林;M.A.斯图伯 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/762;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 垂直半导体器件(例如，垂直功率器件、IGBT器件、垂直双极晶体管、UMOS器件或GTO闸流管)形成为具有源半导体区域，在该有源半导体区域内制作有多个半导体结构以形成有源器件，并且在该有源半导体区域之下至少一部分衬底材料被去除，以隔离该有源器件、暴露至少一个半导体结构而用于底侧电连接、及提高散热性能。优选至少一个半导体结构在有源半导体区域的底侧被电极接触。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 芯片 垂直 功率 器件 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路芯片，包括：垂直半导体器件，包括：有源半导体区域，在该有源半导体区域内制作有多个半导体结构以形成有源器件，并且在该有源半导体区域之下至少一部分衬底材料被去除，以隔离该有源器件、在底边界暴露所述半导体结构中的电互补的至少两个、及提高散热性能；以及至少一个底侧电极，连接到暴露的半导体结构中的至少一个。
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