[发明专利]闪存结构的制造方法

摘要

一种闪存结构的制造方法，包括：提供包括第一区域的衬底；在衬底上依次形成浮置栅层和硬掩膜层；在硬掩膜层、浮置栅层和衬底中形成沟槽，包括第一区域的第一沟槽；在第一沟槽中填充隔离材料；以硬掩膜层作为停止层，研磨去除高于硬掩膜层的隔离材料，在第一沟槽形成具有第一厚度值的第一初始隔离结构；根据第一初始隔离结构的目标厚度值与第一厚度值的差值进行动态调节刻蚀，去除部分厚度的第一初始隔离结构形成第一隔离结构。本发明根据目标厚度值与第一厚度值的差值进行动态调节刻蚀，去除部分厚度的第一初始隔离结构，形成第一隔离结构，并使差值减小，避免引起第一隔离结构两侧衬底的拐角处暴露在外的问题，进而提高闪存结构的电学性能。

主权项

1.一种闪存结构的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括用于形成存储单元的第一区域、用于形成外围器件的第三区域以及位于所述第一区域和第三区域之间且用于形成隔离区的第二区域；在所述衬底上形成浮置栅层；在所述浮置栅层上形成硬掩膜层；在所述硬掩膜层、浮置栅层和衬底中形成沟槽，所述沟槽包括位于所述第一区域的第一沟槽、位于所述第二区域的第二沟槽以及位于所述第三区域的第三沟槽；在所述第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽中填充隔离材料；以所述硬掩膜层作为停止层，通过平坦化工艺去除高于所述硬掩膜层的隔离材料，在所述第一沟槽内形成第一初始隔离结构，在所述第二沟槽内形成第二隔离结构，在所述第三沟槽内形成第三隔离结构，所述第一初始隔离结构具有第一厚度值；根据所述第一初始隔离结构的目标厚度值与所述第一厚度值的差值，获得第二厚度值；根据所述第二厚度值进行动态调节刻蚀，去除部分厚度的所述第一初始隔离结构，形成第一隔离结构，使所述第一隔离结构的厚度值与目标厚度值的差值减小；形成所述第一隔离结构后，去除所述硬掩膜层。