[发明专利]半导体器件的形成方法

摘要

一种半导体器件的形成方法，包括：提供具有核心区和边缘区的半导体衬底，半导体衬底上由下到上有栅氧层、多晶硅层和第一掩膜层；在第一掩膜层、多晶硅层、栅氧层和半导体衬底内形成第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽位于核心区，第二沟槽位于边缘区；在第一沟槽和第二沟槽内填充满绝缘层；形成覆盖第一掩膜层和绝缘层的第二掩膜层后，进行退火处理；去除退火处理后的核心区的第二掩膜层后，以边缘区的第二掩膜层为掩膜刻蚀去除核心区的第一掩膜层。所述方法在不增加工艺步骤的情况下，避免了在刻蚀去除核心区的第一掩膜层的过程中将边缘区的第二掩膜层消耗完继而对边缘区的第一掩膜层进行刻蚀，同时使得绝缘层中应力得以释放。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有核心区和边缘区，所述半导体衬底上由下到上形成有栅氧层、多晶硅层和第一掩膜层；在核心区的所述第一掩膜层、多晶硅层、栅氧层和半导体衬底内形成第一沟槽，在边缘区的所述第一掩膜层、多晶硅层、栅氧层和半导体衬底内形成第二沟槽；在所述第一沟槽和第二沟槽内填充满绝缘层；形成覆盖所述第一掩膜层和所述绝缘层的第二掩膜层后，统一进行一次退火处理，且在形成所述绝缘层之后且在形成所述第二掩膜层之前不进行退火；去除退火处理后的位于核心区的第二掩膜层后，以位于所述边缘区的第二掩膜层为掩膜刻蚀去除位于所述核心区的第一掩膜层。