[发明专利]二维电化学构建纳微电学元件的改进方法

摘要

本发明公开了一种二维电化学构建纳微电学元件的改进方法，属于电化学技术领域。解决了现有方法制备的纳微电学元件成本高、效率低、电学元件性能差的问题。其包括以下步骤：(1)制备连接电极：以绝缘材料为基底，将掩膜平行地放置在基底的中间位置，将基底放入溅射室，在其表面沉积一层导电性良好的薄膜，去掉掩膜即得连接电极；(2)二维电化学沉积纳微电学元件：将两个连接电极用导线与电源连接后，将基底放入电化学生长室内，在两电极间滴加电解液，控制温度使电解液结冰，然后在电极上施加沉积电势，样品沉积结束后，取出基底用超纯水洗净，即得到附着在基底上的二维纳微电学元件。本发明方法适用于制备二维纳微电学元件。

主权项

1.一种二维电化学构建纳微电学元件的改进方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)制备连接电极：以绝缘材料为基底，在基底上覆盖掩膜，使掩膜的长宽与基底的长宽相对应，将掩膜平行地放置在基底的中间位置，然后将基底放入溅射室，在基底表面沉积一层导电性良好的薄膜，去掉掩膜即得所述的连接电极；(2)二维电化学沉积纳微电学元件：将去掉掩膜后的两个连接电极用导线与电源正负极相连后作为电沉积的阳极和阴极，将基底放入电化学生长室内，在两电极间滴加电解液，盖上盖玻片，控制温度使电解液结冰，然后在电极上施加沉积电势，基底上逐渐沉积出二维纳微结构材料，待沉积物从阴极生长到阳极后沉积结束，再将导线与电源断开连接，取出基底并保持导线与电极连接良好，然后用超纯水清洗基底3‑5次，即得到附着在基底上的二维纳微电学元件。