[发明专利]三维半导体器件及其制造方法

摘要

一种三维半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成交替的多个第一、第二掩模层构成的掩模层堆叠；刻蚀掩模层堆叠形成沟道孔，暴露衬底顶部、第一和第二掩模层侧壁；去除第二掩模层的一部分以形成凹陷；在沟道孔和凹陷中共形地形成阻挡层；在阻挡层上形成存储层；选择性刻蚀去除存储层的一部分；在沟道孔和凹陷中共形地形成隧穿层。依照本发明的三维半导体存储器件及其制造方法，利用分离的存储层结构来截断横向扩散的通路，从而改善数据保持特性。

主权项

1.一种三维半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成交替的多个第一、第二掩模层构成的掩模层堆叠；刻蚀掩模层堆叠形成沟道孔，暴露衬底顶部、第一和第二掩模层侧壁；去除第二掩模层的一部分以形成凹陷；在沟道孔和凹陷中共形地形成阻挡层；在阻挡层上形成存储层；选择性刻蚀去除存储层的一部分以夹断存储层，进一步包括，在沟道孔和凹陷中共形地形成牺牲垫层，执行氧化和/或氮化工艺，将牺牲垫层部分地转化为牺牲层，在凹陷中的存储层上留下保护层，去除牺牲层，选择性刻蚀去除存储层的一部分，保留被保护层所覆盖的剩余存储层；在沟道孔和凹陷中共形地形成隧穿层。