[发明专利]形成具有蚀刻通道的MEMS装置的设备和方法有效
| 申请号： | 201610053131.5 | 申请日： | 2016-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN105923601B | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | T·K·努南 | 申请（专利权）人： | 美国亚德诺半导体公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 吴信刚 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开涉及形成具有蚀刻通道的MEMS装置的设备和方法。一种制造MEMS装置的方法提供了一种装置基板、在基板中/上形成了多个沟槽并在基板上形成牺牲材料(例如，生长或沉积牺牲材料)以形成多个蚀刻通道。每个沟槽定义一个蚀刻通道并且每个通道蚀刻形成构造为引导蚀刻剂的内部。该方法还接合承载基板到装置基板的牺牲材料并除去该牺牲材料的至少一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 具有 蚀刻 通道 mems 装置 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造MEMS装置的方法，所述方法包括：提供装置基板；在基板上形成多个沟槽；在所述多个沟槽内形成牺牲材料的第一部分；然后在基板上以及在所述多个沟槽上方形成牺牲材料的第二部分以形成多个蚀刻通道，每个沟槽限定一个蚀刻通道，每个蚀刻通道形成由沟槽内和上方的牺牲材料中的至少一个空隙限定的内部，所述蚀刻通道构造成引导蚀刻剂；接合承载基板到装置基板的所述牺牲材料；和除去所述牺牲材料的至少一部分。
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