[发明专利]一种混合硬盘的缓存结构及方法在审
申请号: | 201610053854.5 | 申请日: | 2016-01-26 |
公开(公告)号: | CN105739921A | 公开(公告)日: | 2016-07-06 |
发明(设计)人: | 景蔚亮;陈邦明 | 申请(专利权)人: | 上海新储集成电路有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201500 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种机械硬盘的缓存结构及方法,结合NAND存储器、新型存储器、以及HDD各自的优点,用NAND存储器作为HDD的读缓存,用新型存储器作为HDD的写缓存。本发明的技术方案进一步提高了HDD的读写性能,且大大延长了NAND存储器的使用寿命,具有低成本、高性能的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 混合 硬盘 缓存 结构 方法 | ||
【主权项】:
一种混合硬盘的缓存结构,其特征在于,包括主硬盘和与之相连的主硬盘的缓存器,所述缓存器包括读缓存器和写缓存器,所述读缓存器的数据读性能优于所述主硬盘,所述写缓存器的数据写性能远优于所述读缓存器和主硬盘,当需对所述主硬盘进行读写操作时,读数据缓存于所述读缓存器中,写数据缓存于所述写缓存器中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新储集成电路有限公司,未经上海新储集成电路有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610053854.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。