[发明专利]用于脱气减少和带外辐射吸收的新光刻胶添加剂

摘要

在衬底上方形成可图案化层。在可图案化层上方形成光敏层。光敏层包含添加剂。添加剂至少包含浮动控制化学成分和容量控制化学成分。对光敏层实施旋转干燥和/或烘烤工艺。浮动控制化学成分使添加剂在旋转干燥或烘烤期间上升。此后，作为远紫外(EUV)光刻工艺的部分，曝光光敏层。在曝光期间在光敏层内部生成一种或多种脱气化学物质。容量控制化学成分足够大量和致密以将脱气化学物质捕获在光敏层内部。本发明的实施例还涉及用于脱气减少和带外辐射吸收的新光刻胶添加剂。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成层；在所述层上方涂布光刻胶，其中，所述光刻胶包含添加剂；旋转干燥和/或烘烤所述光刻胶，其中，所述添加剂在所述光刻胶的旋转干燥或烘烤期间浮动至所述光刻胶的上表面；以及此后对所述光刻胶实施曝光工艺，从而产生一种或多种光刻胶脱气产物，其中，浮动至所述光刻胶的所述上表面处的所述添加剂防止所述一种或多种光刻胶脱气产物逃离所述光刻胶；其中，所述添加剂包含：浮动控制单元，配置为使所述添加剂朝着所述光刻胶的所述上表面浮动；容量控制单元，配置为阻挡所述一种或多种光刻胶脱气产物；以及辐射吸收控制单元，所述辐射吸收控制单元配置为吸收波长在从180纳米至250纳米的范围内的辐射。