[发明专利]微弧光传感器用深红/近红外下转换荧光材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201610054548.3 申请日: 2016-01-27
公开(公告)号: CN106281315A 公开(公告)日: 2017-01-04
发明(设计)人: 卓宁泽;王海波;张娜;朱月华;刘光熙 申请(专利权)人: 轻工业部南京电光源材料科学研究所
主分类号: C09K11/64 分类号: C09K11/64
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 210015 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种微弧光传感器用深红/近红外下转换荧光材料及其制备方法,其化学式为:MaMg1-aAl2Si2O8:Nb,Rc,其中M为Ca、Sr、Ba四种元素中的一种,N为Ce、Eu、Mn三种元素中的一种,R为Nd、Yb两种元素中的一种,a、b、c为摩尔系数,其范围是:0<a<1,0<b<0.5,0<c<0.5。制备方法为:按照化学式MaMg1-aAl2Si2O8:Nb,Rc中各元素的摩尔系数比称取原料、助熔剂,球磨混匀,通过高温固相烧结后,冷却粉碎、过筛,即可制备所需的荧光材料。本发明制备的荧光粉材料在200-400nm紫光区有强吸收,发射光位于650-1100nm的深红/近红外区,可将微弧光中大部分的紫光转换成传感器易响应的深红/近红外光,具有工艺简单,激发与发射光谱范围宽,发光亮度高的优点和较好的应用价值。
搜索关键词: 弧光 传感 器用 深红 红外 转换 荧光 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
一种微弧光传感器用深红/近红外下转换荧光材料,其特征在于:该荧光材料的发射光谱范围为650‑1100nm,激发光谱范围为200‑400nm,化学式为:MaMg1‑aAl2Si2O8:Nb,Rc,其中M为Ca、Sr、Ba四种元素中的一种,N为Ce、Eu、Mn三种元素中的一种,R为Nd、Yb两种元素中的一种,a、b、c为摩尔系数,其范围是:0<a<1,0<b<0.5,0<c<0.5。
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