[发明专利]一种用于提拉法晶体生长的下晶方法和自动下晶设备有效
| 申请号： | 201610054686.1 | 申请日： | 2016-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN105568369B | 公开（公告）日： | 2018-10-30 |
| 发明（设计）人： | 王彪;朱允中;林少鹏 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20 |
| 代理公司： | 广州骏思知识产权代理有限公司 44425 | 代理人： | 吴静芝 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于提拉法晶体生长的下晶方法，包括步骤：对坩埚加热，使位于坩埚内的晶体材料熔化；缓慢下移籽晶；当籽晶质量发生变化时，继续缓慢下移达到下晶深度；监测籽晶质量增减速度，当籽晶质量增减速度范围处于阈值V内，对坩埚保持原有加热状态，当籽晶质量增加或减小速度范围超过阈值V，升高或降低坩埚的温度，然后籽晶上移，重新下晶。本发明的下晶方法，避免在下晶过程中由保温系统的温度梯度对籽晶造成热冲击，当发生籽晶生长过速和籽晶熔化现象时可通过调整下晶温度，重新下晶操作。本发明还提供了一种自动下晶设备，所述设备的控制装置控制晶体生长过程的自动进行，实现全自动化下晶，使下晶操作脱离人工。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 提拉法 晶体生长 方法 自动 设备 | ||
【主权项】：
1.一种用于提拉法晶体生长的下晶方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)对坩埚加热，使位于坩埚内的晶体材料熔化；(2)缓慢下移籽晶；下移籽晶的速度为100～150mm/h；(3)当籽晶质量发生变化时，继续缓慢下移达到下晶深度；所述下晶深度为0.5～1mm；(4)监测籽晶质量增减速度，当籽晶质量增减速度范围处于阈值V内，对坩埚保持原有加热状态；当籽晶质量增加或减小速度范围超过阈值V，升高或降低坩埚的温度，然后上移籽晶，执行步骤(2)，重新下晶；(5)根据籽晶质量变化的速率，选择升温缩颈或恒温缩颈；籽晶质量增加速率为0.5～‑2g/h，选择恒温缩颈；籽晶质量增加速率超过0.5g/h，选择升温缩颈。
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