[发明专利]用于铜结构化的中间层及其形成方法

摘要

本公开的实施方式涉及用于铜结构化的中间层及其形成方法。一种在半导体衬底之上形成金属化层的方法包括：在层级间电介质层之上沉积扩散阻挡衬垫的毯式层，以及在扩散阻挡衬垫之上沉积中间层的毯式层。包含铜的功率金属层的毯式层沉积在中间层之上。中间层包括主要元素和铜的固溶体。中间层具有与功率金属层不同的蚀刻选择性。在沉积功率金属层之后，对功率金属层、中间层和扩散阻挡衬垫进行结构化。

主权项

1.一种在半导体衬底之上形成金属化层的方法，所述方法包括：在层级间电介质层之上沉积扩散阻挡衬垫的毯式层；在所述扩散阻挡衬垫之上沉积中间层的毯式层；在所述中间层之上沉积包含铜的功率金属层的毯式层，其中所述中间层包括主要元素和铜的固溶体，其中所述功率金属层具有在2微米至15微米之间的厚度，并且其中所述功率金属层的主要成分是铜；在沉积所述功率金属层之后，对所述功率金属层、所述中间层和所述扩散阻挡衬垫进行结构化，其中在使用第一湿法蚀刻工艺对所述功率金属层进行结构化期间，所述中间层与所述功率金属层具有不同的蚀刻选择性；以及在所述结构化之后，在所述功率金属层之上形成凸块下金属化层。