[发明专利]一种沟道孔的测量方法有效
| 申请号： | 201610055046.2 | 申请日： | 2016-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN105674921B | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 夏志良;徐强;霍宗亮;梅绍宁 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G01B15/00 | 分类号： | G01B15/00 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体结构中各膜层中沟道孔尺寸的测量方法，首先根据沟道孔的排列方式以与衬底形成的一预设倾斜角α对半导体结构进行刻蚀，形成用于测量的斜坡面，再利用测试仪器对斜坡面进行扫描，得到一平面多孔图，然后确定平面多孔图中各沟道孔对应的膜层，根据所述平面多孔图，获取各所述膜层中的沟道孔的尺寸，实现各膜层中沟道孔尺寸的快速测量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟道 测量方法 | ||
【主权项】：
1.一种沟道孔尺寸的测量方法，其特征在于，所述测量方法包括：提供一设置有若干膜层的半导体结构，且所述半导体结构中形成有贯穿各所述膜层的沟道孔；根据所述沟道孔的排列方式对所述半导体结构进行斜切，以在所述半导体结构中形成暴露各所述膜层中的沟道孔的斜坡面；采用测试仪器对所述斜坡面进行扫描，以得到一个平面多孔图；根据所述平面多孔图，获取各所述膜层中的沟道孔的尺寸；所述尺寸包括所述沟道孔的高度；所述半导体结构包括半导体衬底和堆叠于所述半导体衬底之上的所述若干膜层，所述方法中，根据所述沟道孔的排列方式采用聚焦离子束以与所述半导体衬底成α的倾斜角对所述半导体结构进行斜切，以形成暴露各所述膜层中的沟道孔的所述斜坡面；其中，10°≤α≤80°；采用所述测试仪器对所述斜坡面进行扫描时，所述测试仪器正对所述半导体衬底平面；根据所述倾斜角α和所述平面多孔图中相邻孔之间的间距，获取各所述膜层中的沟道孔的高度；其中，若所述平面多孔图中各相邻孔之间的间距均为L，则形成有斜坡面的所述半导体结构中相邻沟道孔之间的高度差△H的值为L*tanα。
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