[发明专利]水溶液晶体一体化生长炉

摘要

水溶液晶体一体化生长炉，包括生长缸、储料仓、流量控制仓、温控系统和晶体生长总承。所述生长缸的内侧壁上部设置有一个集水槽。所述储料仓套在生长缸的外部，其内部放置有晶体原料。所述储料仓包括筒体和压盖，所述压盖上设置稀释皿。所述储料仓的上方设置有流量控制仓，所述流量控制仓包括上仓室，且所述上仓室通过出水管与所述集水槽相连通，所述出水管上设置有定量滴定器。所述上仓室与储料仓之间设置有水位压力管。所述初次补液管设置于储料仓内，且所述初次补液管的上端与稀释皿连通。本发明通过将储料仓集成到生长缸上，使整个装置更加合理、紧凑不仅节约了空间资源，还节省了原材料。

主权项

水溶液晶体一体化生长炉，其特征在于：包括生长缸、储料仓、定量滴定器、温控系统和晶体生长总承；所述生长缸为内壁光滑的密闭容器，所述生长缸内壁的上部设有一个环状的集水槽，并在集水槽底部引出一出水管，在所述出水管上设置有流量控制计；在生长缸外部固定一环形的储料仓，并在所述储料仓和生长缸之间形成一个密闭的空间，所述空间内填充晶体生长所需的原料，所述储料仓顶部具有一投料用并对所述空间进行密封的压盖，所述压盖中设置稀释皿，所述稀释皿上设置有密封盖并形成一个密闭的稀释用腔体；自所述储料仓中引出一水位压力管，且在所述水位压力管和出水管之间设置一将所述集水槽中冷凝水排向储料仓的定量滴定器；初次补液管位于储料仓内且下端位于储料仓的底部，上端与稀释皿连通；二次补液管一端位于生长缸内且与缸内溶液不接触，另一端与稀释皿连通，一溢流管将所述集水槽和稀释皿连通；一排气管将所述储料仓内腔和所述生长缸连通并建立大气压平衡回路；所述温控系统用于监测并控制生长缸内液体的温度。