[发明专利]一种菊花栽培方法有效

专利信息
申请号: 201610055569.7 申请日: 2016-01-27
公开(公告)号: CN105660127B 公开(公告)日: 2019-03-08
发明(设计)人: 王奎玲;郭霄;刘庆超 申请(专利权)人: 青岛农业大学
主分类号: A01G2/10 分类号: A01G2/10;A01G22/00;A01G22/60
代理公司: 济南舜源专利事务所有限公司 37205 代理人: 申传晓
地址: 266000 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明涉及一种免扦插环节的菊花栽培方法,主要包括准备插穗母株、整地做畦、畦面开沟、插穗采集、沟底定植、覆膜揭膜、平沟壅土,用于满足简化菊花繁殖流程、节约成本、节约生产时间的需要,该菊花栽植过程中,扦插阶段与移栽过程合二为一方面均有独到之处,通过对以未生根菊花插穗直接大田定植,可以解决菊花种苗生长周期长、移栽缓苗期长、移栽过程出现机械损伤的问题,既节省了时间,又可保证菊花苗全苗旺,该栽植过程方便、简单、经济,能够节省大量时间,是一种简单高效的菊花栽培方法。
搜索关键词: 一种 扦插 环节 菊花 栽培 方法
【主权项】:
1.一种菊花栽培方法,其包括以下步骤:A、采集插穗:当菊花之采穗母株周围的孽芽长至15cm时,剪取孽芽上部带顶芽且长度为10cm的枝条作为插穗;B、整地做畦:选择去年入冬前深耕的砂质壤土,在3月中下旬做高畦,畦高25‑30cm,畦面宽30cm,两畦间距90‑100cm,做单行栽植;C、畦面开沟:在畦面开沟,沟深15cm,沟底部夹角为30°‑45°,往沟的中心部位浇水,并以冲不倒两侧沟堰为准;D、沟底定植:当沟底水完全渗下后,选择直径粗于插穗的木棍,在沟底插孔,将插穗直接插入孔内,插穗入土深度约占插穗长度的2/3,株间距为10cm;E、覆膜:在畦面覆盖塑料薄膜,薄膜的两端及两侧压实;F、揭膜:插穗定植与覆盖塑料薄膜10天后,在塑料薄膜上用木棍进行不规则打孔,当70%以上插穗顶部叶片达到塑料薄膜下表面时,则渐次揭掉塑料薄膜,此时菊花幼苗根系已经发育完整;G、平沟壅土:当菊花苗顶端叶片高于沟堰以上5cm时,向内平沟壅土,即转入菊花正常的田间管理。
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