[发明专利]阵列基板及其制作方法

摘要

本发明提供一种阵列基板及其制作方法。本发明的阵列基板的制作方法，通过采用一半色调光罩、及一道光刻制程对钝化层及刻蚀阻挡层进行图案化处理，在钝化层上形成对应于源极上方的第一过孔，在刻蚀阻挡层上形成位于源极与漏极之间的第二过孔与第三过孔，之后通过一道光刻制程在钝化层、源极、漏极、及刻蚀阻挡层上方形成经由第一过孔与源极相连的像素电极、经由第二过孔连接源极与有源层的第一连接层、以及经由第三过孔连接漏极与有源层的第二连接层，通过以上制程来减少具有刻蚀阻挡层结构的IGZO阵列基板的光刻制程数，将现有技术的6道光刻制程减少为5道光刻制程，从而节省一道光刻制程，减少了一道光罩的使用，降低了IGZO阵列基板的生产成本。

主权项

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，提供一基板(10)，并在所述基板(10)上依次形成栅极(20)、栅极绝缘层(30)、有源层(40)、刻蚀阻挡层(50)、源极(51)和漏极(52)；然后，在所述源极(51)、漏极(52)、及刻蚀阻挡层(50)上形成钝化层(60)并在同一道光刻制程中对所述钝化层(60)和刻蚀阻挡层(50)进行图案化处理，具体包括：步骤71、在所述钝化层(60)上涂布一光阻层(70)；步骤72、采用一半色调光罩(80)对所述光阻层(70)进行曝光、显影；步骤73、通过至少两次干蚀刻制程对所述光阻层(70)、及钝化层(60)进行蚀刻，使所述钝化层(60)上形成裸露出部分源极(51)的第一过孔(63)和位于源极(51)与漏极(52)之间且宽度大于源极(51)与漏极(52)之间间隔以裸露出刻蚀阻挡层(50)及部分源极(51)与漏极(52)的缺口(68)；同时，在所述刻蚀阻挡层(50)上通过所述缺口(68)裸露出的区域上形成用于与所述有源层(40)连通的第二过孔(53)与第三过孔(54)；步骤74、剥离所述钝化层(60)上残留的光阻层(70)。