[发明专利]一种形成硅外延层的方法有效
| 申请号： | 201610056974.0 | 申请日： | 2016-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN105702621B | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 唐兆云;陆智勇;霍宗亮 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L27/11551 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种形成硅外延层的方法，可应用于3D NAND结构的制备工艺中，通过在形成第一硅层和覆盖第一硅层的第一氧化层以保护接触孔的侧壁之后，于接触孔的底部外延生长形成第二硅层，之后于移除所述第一氧化层之后，对第一硅层和所述第二硅层进行氧化工艺，从而在不使用HF的情况下形成硅外延层，提高了接触孔侧壁的光滑度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 外延 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成硅外延层的方法，其特征在于，包括：步骤S1，提供一形成有接触孔的半导体结构；步骤S2，于所述接触孔的侧壁表面形成第一硅层和覆盖所述第一硅层的第一氧化层；步骤S3，于所述接触孔的底部形成第二硅层；步骤S4，于移除所述第一氧化层之后，对所述第一硅层和所述第二硅层进行氧化工艺，以将所述第一硅层全部氧化为二氧化硅，将所述第二硅层部分氧化为二氧化硅；其中，所述第二硅层中未被氧化的部分形成所述硅外延层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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