[发明专利]一种多元化金属纳米结构的制备方法有效
申请号: | 201610057134.6 | 申请日: | 2016-01-28 |
公开(公告)号: | CN105692546B | 公开(公告)日: | 2017-08-11 |
发明(设计)人: | 江林;李子洋;钟留彪;孙迎辉 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | B82B3/00 | 分类号: | B82B3/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司32103 | 代理人: | 仇波 |
地址: | 215123 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种多元化金属纳米结构的制备方法,它包括以下步骤(a)合成单一分散的金纳米粒子溶液;(b)对Si/SiO2基底进行修饰改性;(c)将所述金纳米粒子组装在所述Si/SiO2基底的表面;(d)在所述Si/SiO2基底的表面涂覆以精确控制粒子生长尺寸聚合物(聚异丙基丙烯酰胺)在表面形成保护膜;(e)配置金属纳米粒子生长液;(f)将表面涂覆薄膜的所述Si/SiO2基底浸入所述生长液中进行金属纳米粒子生长,即可得到多元化金属纳米结构。这样生长液可以均匀地扩散到晶种的表面,不仅可以阻止粒子的杂乱无序的不均匀生长,而且可以有效地防止生长后的纳米粒子的脱落,实现纳米粒子生长的精确调控。 | ||
搜索关键词: | 一种 多元化 金属 纳米 结构 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种多元化金属纳米结构的制备方法,其特征在于,它包括以下步骤:(a)合成单一分散的金纳米粒子溶液;(b)对Si/SiO2基底进行修饰改性:将干净的Si/SiO2基底放入硫酸和双氧水的混合溶液中进行氧化反应,取出后用去离子水洗净,随后置于真空手套箱中并将(3‑巯基丙基)三甲氧基硅烷或者三甲氧基硅烷衍生物滴到其上反应后待用即可;(c)将所述金纳米粒子组装在所述Si/SiO2基底的表面:将步骤(b)中修饰的Si/SiO2基底浸入离心后的所述金纳米粒子溶液中,进行自组装;(d)在所述Si/SiO2基底的表面涂覆聚酰胺、聚酰亚胺或聚丙烯酸形成薄膜;(e)配置金属纳米粒子生长液:取十六烷基三甲基溴化铵溶于水中形成溶液,再加入HAuCl溶液、AgNO3溶液或铂酸溶液混匀后,加入抗坏血酸溶液摇匀至澄清形成所述生长液;(f)将表面涂覆薄膜的所述Si/SiO2基底浸入所述生长液中进行金属纳米粒子生长,即可得到多元化金属纳米结构。
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