[发明专利]一种适用于Cu2SnSe3基热电元件的合金电极及该热电元件的制备工艺有效

专利信息
申请号: 201610058234.0 申请日: 2016-01-28
公开(公告)号: CN105679928B 公开(公告)日: 2018-01-09
发明(设计)人: 赵德刚;宁纪爱;左敏;王振卿 申请(专利权)人: 济南大学
主分类号: H01L35/04 分类号: H01L35/04;H01L35/34
代理公司: 济南泉城专利商标事务所37218 代理人: 李桂存
地址: 250022 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明涉及一种适用于p型Cu2SnSe3基热电材料相匹配的合金电极及该Cu2SnSe3基热电元件的制备工艺,该合金电极为Ti‑Ni合金,不仅电导率和热导率高,本发明提供的Ti‑Ni合金与Cu2SnSe3基热电材料具有非常接近的热膨胀系数。Cu2SnSe3基热电元件的制备是利用快速热压烧结(RHPS)技术直接将Cu2SnSe3基热电材料于Ti‑Ni合金电极烧制而成,不需要中间过渡连接层。烧结完毕后的电极界面结合非常稳定,且Cu2SnSe3/电极界面无明显的电阻跃迁。该制备工艺简单,非常适用于Cu2SnSe3基热电发电器件的制备,可用于大批量生产制备。
搜索关键词: 一种 适用于 cu sub snse 热电 元件 合金 电极 制备 工艺
【主权项】:
一种合金电极与Cu2SnSe3基热电元件的制备工艺,其特征在于,包括以下步骤:(1)首先将Ti‑Ni合金的电极片表面进行喷砂处理;(2)将Ti‑Ni合金的电极片超声清洗,超声完毕后晾干放入石墨模具中;(3)将Cu2SnSe3粉体原料进行行星球磨;(4)将行星球磨后的Cu2SnSe3粉体均匀覆盖在石墨模具中的电极表面,在真空条件下进行快速热压烧结。
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